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BUK7Y12-100EX

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 封裝
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  • BUK7Y12-100EX
    BUK7Y12-100EX

    BUK7Y12-100EX

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SMD

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • BUK7Y12-100EX
    BUK7Y12-100EX

    BUK7Y12-100EX

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-8308997518573537851

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 2970

  • Nexperia

  • N/A

  • 24+

  • -

  • 瑞智芯只做原裝上傳有貨

  • BUK7Y12-100EX
    BUK7Y12-100EX

    BUK7Y12-100EX

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NXP Semiconductors

  • 標準封裝

  • 15+

  • -

  • 百分百原裝假一罰十

  • BUK7Y12-100EX
    BUK7Y12-100EX

    BUK7Y12-100EX

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NXP SEMIC

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • BUK7Y12-100EX
    BUK7Y12-100EX

    BUK7Y12-100EX

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT669

  • -

  • 授權代理/原廠FAE技術支持

  • BUK7Y12-100EX
    BUK7Y12-100EX

    BUK7Y12-100EX

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人：胡

    電話：13480313979

    地址：深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
BUK7Y12-100EX PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • BUK7Y12-100E/LFPAK/REEL7// - Tape and Reel
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V LFPAK56
BUK7Y12-100EX 技術參數(shù)
  • BUK7Y113-100EX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:601pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:45W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:113 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK7Y10-30B,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:67A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1183pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:85W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK7Y102-100B,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12.2nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:779pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:60W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:102 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK7Y08-40B/C,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:36.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2040pF @ 25V 功率 - 最大值:105W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK， 電源-SO8 標準包裝:1,500 BUK7Y08-40B,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:36.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2040pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:105W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK7Y18-75B,115 BUK7Y19-100EX BUK7Y1R7-40HX BUK7Y20-30B,115 BUK7Y21-40EX BUK7Y22-100EX BUK7Y25-40B,115 BUK7Y25-40B/C,115 BUK7Y25-60EX BUK7Y25-80EX BUK7Y28-75B,115 BUK7Y29-40EX BUK7Y2R0-40HX BUK7Y2R5-40HX BUK7Y35-55B,115 BUK7Y38-100EX BUK7Y3R0-40EX BUK7Y3R0-40HX
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