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BU-L0000-375TIN

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BU-L0000-375TIN PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • LUG 4/0 AWG 3/8" STUD TIN
  • 制造商
  • mueller electric co
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 端子類型
  • 圓形,管狀
  • 螺柱/凸片尺寸
  • 3/8 接線柱
  • 厚度
  • 0.105"(2.67mm)
  • 寬度 - 外邊緣
  • 1.030"(26.16mm)
  • 長度 - 總
  • 2.350"(59.69mm)
  • 安裝類型
  • 自由懸掛
  • 端接
  • 壓接
  • 線規(guī)
  • 4/0 AWG
  • 絕緣
  • 非絕緣
  • 特性
  • -
  • 顏色
  • -
  • 觸頭材料
  • 觸頭鍍層
  • 絕緣層直徑
  • -
  • 材料 - 絕緣
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
BU-L0000-375TIN 技術(shù)參數(shù)
  • BU-L0000-375 功能描述:LUG 4/0 AWG 3/8" STUD 制造商:mueller electric co 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 端子類型:圓形,管狀 螺柱/凸片尺寸:3/8 接線柱 厚度:0.105"(2.67mm) 寬度 - 外邊緣:1.030"(26.16mm) 長度 - 總:2.350"(59.69mm) 安裝類型:自由懸掛 端接:壓接 線規(guī):4/0 AWG 絕緣:非絕緣 特性:- 顏色:- 觸頭材料:銅 觸頭鍍層:- 絕緣層直徑:- 材料 - 絕緣:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y9R9-80E,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK, 電源-SO8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 BUK9Y98-80E,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK, 電源-SO8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 BUK9Y8R7-60E,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):86A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):31nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4570pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):147W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.5 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y8R5-80EX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):54.7nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):8167pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):238W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUL1102EFP BUL1203E BUL1203EFP BUL128 BUL128D-B BUL128FP BUL128-K BU-L1-375TIN BUL138 BUL138FP BUL1403ED BUL146 BUL146F BUL146FG BUL146G BUL213 BUL216 BU-L2-313
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