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BSS80C E6327

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  • BSS80C E6327
    BSS80C E6327

    BSS80C E6327

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 250000

  • Infineon

  • SOT-23

  • 最新批次

  • -
  • OEM渠道,價格超越代理!

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
BSS80C E6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BSS80C E6327 技術參數
  • BSS806NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):57 毫歐 @ 2.3A,2.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):750mV @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):529pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS806NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.3A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,2.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):750mV @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1.7nC @ 2.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):529pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):57 毫歐 @ 2.3A,2.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BSS806NEH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:汽車級,AEC-Q101,HEXFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):57 毫歐 @ 2.3A,2.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):0.75V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):529pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS806N H6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):57 毫歐 @ 2.3A,2.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):750mV @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):529pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS79C 功能描述:TRANS NPN 40V 0.8A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 BSS84,215 BSS84_D87Z BSS8402DW-7 BSS8402DW-7-F BSS8402DWQ-7 BSS84-7 BSS84-7-F BSS84AK,215 BSS84AK-BR BSS84AKM,315 BSS84AKMB,315 BSS84AKS,115 BSS84AKS/ZLX BSS84AKT,115 BSS84AKV,115 BSS84AKVL BSS84AKW,115 BSS84AKW-BX
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