BSP324L6327HTSA1

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BSP324L6327HTSA1
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
PG-SOT223-4
19+
-
代理直銷！進(jìn)口原裝正品！

BSP324L6327HTSA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號(hào)
-
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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223

BSP324L6327HTSA1 技術(shù)參數(shù)

BSP324H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:154pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP324 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:154pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP322PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 380μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:372pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP322PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 380μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:372pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP321PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.98A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:980mA（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 980mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 380μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:319pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP3-480-20KA BSP3-480-20KA-TN BSP3-480-LC BSP372 E6327 BSP372L6327HTSA1 BSP372NH6327XTSA1 BSP373 E6327 BSP373L6327HTSA1 BSP373NH6327XTSA1 BSP41,115 BSP43,115 BSP452 E6327 BSP452HUMA1 BSP50 BSP50,115 BSP50E6327HTSA1 BSP50H6327XTSA1 BSP51