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BSM652F

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BSM652F 技術(shù)參數(shù)
  • BSM50GP120BOSA1 功能描述:IGBT MODULE 1200V 50A 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):在售 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSM50GP120 功能描述:IGBT MODULE 1200V 50A 制造商:infineon technologies industrial power and controls americas 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSM50GD120DN2G 功能描述:IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:- 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):78A 功率 - 最大值:400W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.7V @ 15V,50A 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):33nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSM50GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 75A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.45V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):2.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSM50GB170DN2HOSA1 功能描述:IGBT Module Half Bridge 1700V 72A 500W Chassis Mount Module 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):上次購(gòu)買時(shí)間 IGBT 類型:- 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):72A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.9V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):8nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M BSMV2BX-X BSMV6X-L BSMV6X-Q BSMV6X-X BSN10-2K BSN10-D BSN10-E BSN10-L BSN14-3K BSN14-C BSN14-E BSN14-M BSN18-3K BSN18-C BSN18-E
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