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BSG0813NDIATMA1

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型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSG0813NDIATMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王
電話：13969210552
地址：中國上海
328694
INFINEON
con
24+
-
優(yōu)勢庫存，原裝正品

BSG0813NDIATMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
328694
INFINEON
con
24+
-

BSG0813NDIATMA1
天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
328694
INFINEON
con
24+
-

BSG0813NDIATMA1
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13305449939
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室
328694
INFINEON
con
24+
-
現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

BSG0813NDIATMA1
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13305449939
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
328694
INFINEON
con
24+
-
優(yōu)勢庫存，原裝正品

BSG0813NDIATMA1
中山市翔美達電子科技有限公司
中山市翔美達電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室
3000
英飛凌
TO-3P
22+
-
原裝現(xiàn)貨

BSG0813NDIATMA1
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
PG-TISON-8
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

BSG0813NDIATMA1
深圳市科宏特電子有限公司
深圳市科宏特電子有限公司
聯(lián)系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148
36000000
Infineon
22+
-
原裝正品

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BSG0813NDIATMA1 技術(shù)參數(shù)

BSG0811NDATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:19A， 41A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 12V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TISON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSG0810NDIATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:19A， 39A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1040pF @ 12V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 155°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TISON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSF-HD 功能描述:9V FEMALE SNAP 4-SIDED HVY-DUTY 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:- 零件狀態(tài):有效電池類型，功能:9V，卡入式觸點（單）樣式:觸點，卡入式（正極）電池尺寸:9V 電池數(shù):- 電池系列:- 安裝類型:自定義端子類型:- 板上高度:- 工作溫度:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSF450NE7NH3XUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 75V 5A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta），15A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:390pF @ 37.5V 功率 - 最大值:2.2W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSF134N10NJ3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta），40A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 40μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2300pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），43W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13.4 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封裝/外殼:3-WDSON 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSH-020-01-L-D-A BSH-020-01-L-D-A-TR BSH-020-01-L-D-DP-A BSH-020-01-L-D-DP-A-TR BSH-020-01-L-D-EM2 BSH-030-01-C-D BSH-030-01-C-D-A BSH-030-01-C-D-A-K-TR BSH-030-01-C-D-A-TR BSH-030-01-F-D BSH-030-01-F-D-A BSH-030-01-F-D-A-TR BSH-030-01-F-D-EM2 BSH-030-01-F-D-LC BSH-030-01-F-D-LC-TR BSH-030-01-F-D-RA-WT BSH-030-01-F-D-RA-WT-GP BSH-030-01-F-D-TR

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配單專線：0755-83353220
艾睿（深圳）實業(yè)有限公..
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林沃田信息技術(shù)(深圳)..
配單專線：0755-82781160
深圳市芯易芯科技有限公..
配單專線：0755-84864007

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