參數(shù)資料
型號： MMSTA13-7-F
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
中文描述： 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： MMSTA13-7-F
DS30165 Rev. 8 - 2
2 of 3
MMSTA13/MMSTA14
www.diodes.com
Electrical Characteristics
@ T
A
= 25
°
C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 5)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
V
(BR)CEO
I
CBO
I
EBO
30
100
100
V
nA
nA
I
C
= 100
μ
A V
BE
= 0V
V
CB
= 30V, I
E
= 0
V
EB
= 10V, I
C
= 0
ON CHARACTERISTICS (Note 5)
DC Current Gain
MMSTA13
MMSTA14
MMSTA13
MMSTA14
h
FE
5,000
10,000
10,000
20,000
I
C
= 10mA, V
CE
= 5.0V
I
C
= 10mA, V
CE
= 5.0V
I
C
= 100mA, V
CE
= 5.0V
I
C
= 100mA, V
CE
= 5.0V
I
C
= 100mA, I
B
= 100
μ
A
I
C
= 100mA, V
CE
= 5.0V
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
V
CE(SAT)
V
BE(SAT)
1.5
2.0
V
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Output Capacitance
Input Capacitance
C
obo
C
ibo
8.0 Typical
15 Typical
pF
pF
V
CB
= 10V, f = 1.0MHz, I
E
= 0
V
EB
= 0.5V, f = 1.0MHz, I
C
= 0
V
= 5.0V, I
C
= 10mA,
f = 100MHz
Current Gain-Bandwidth Product
f
T
125
MHz
0
50
25
50
75
100
125
150
175
200
P
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 1, Max Power Dissipation vs
Ambient Temperature
100
150
200
0
Note 1
1
10
100
1000
V
,
C
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 2, Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
T
= 25°C
A
T
= -50°C
A
T
=
150°C
A
0.45
0.40
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.10
1.05
1.00
I
C
I
B
= 1000
100
1,000
100,000
1,000,000
10,000
1
10
1000
100
h
,
F
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 3, DC Current Gain vs
Collector Current
T = -50°C
T
= 25°C
A
T
= 150°C
A
V
= 5V
CE
0.1
1
10
100
V
,
B
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 4, Base Emitter Voltage
vs. Collector Current
T
= 25°C
A
T
= -50°C
A
T
=
150°C
A
0.3
0.2
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.6
1.5
1.4
V
= 5V
CE
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