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BLF645112

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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  • BLF645112
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • N CH BROADBAND PUSH / PULL POWER LDMOS
BLF645112 技術(shù)參數(shù)
  • BLF645,112 功能描述:TRANSISTOR PWR LDMOS SOT540A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:LDMOS(雙),共源 頻率:1.3GHz 增益:16.5dB 電壓 - 測(cè)試:32V 額定電流:32A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:900mA 功率 - 輸出:100W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-540A 供應(yīng)商器件封裝:LDMOST 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 BLF644PU 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32V 200mA 860MHz 23.5dB 100W SOT-1228A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:LDMOS(雙),共源 頻率:860MHz 增益:23.5dB 電壓 - 測(cè)試:32V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:200mA 功率 - 輸出:100W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1228A 供應(yīng)商器件封裝:SOT-1228A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 BLF642,112 功能描述:FET RF 65V 1.3GHZ SOT467C 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:LDMOS 頻率:1.3GHz 增益:19dB 電壓 - 測(cè)試:32V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:200mA 功率 - 輸出:35W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT467C 供應(yīng)商器件封裝:SOT467C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 BLF640U 功能描述:FET RF 65V 2.17GHZ CDIP2 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:LDMOS 頻率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:18.5dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:100mA 功率 - 輸出:700mW 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-538A 供應(yīng)商器件封裝:2-CDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 BLF578XRS,112 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 40mA 225MHz 23.5dB 1400W SOT539B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:LDMOS(雙),共源 頻率:225MHz 增益:23.5dB 電壓 - 測(cè)試:50V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:40mA 功率 - 輸出:1400W 電壓 - 額定:110V 封裝/外殼:SOT539B 供應(yīng)商器件封裝:SOT539B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 BLF6G10L-260PBM,11 BLF6G10L-260PBM:11 BLF6G10L-260PRN,11 BLF6G10L-260PRN:11 BLF6G10L-40BRN,112 BLF6G10L-40BRN,118 BLF6G10LS-135R,112 BLF6G10LS-135R,118 BLF6G10LS-135RN,11 BLF6G10LS-135RN:11 BLF6G10LS-160,112 BLF6G10LS-160,118 BLF6G10LS-160RN,11 BLF6G10LS-160RN:11 BLF6G10LS-200,112 BLF6G10LS-200,118 BLF6G10LS-200R,112 BLF6G10LS-200R,118
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