BD683T

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BD683T 技術參數(shù)

BD682TG 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 4A TO225 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 30mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 1.5A，3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:50 BD682T 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 4A TO225 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 30mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 1.5A，3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:50 BD682STU 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 4A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 30mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 1.5A，3V 功率 - 最大值:14W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:60 BD682S 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 4A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 30mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 1.5A，3V 功率 - 最大值:14W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:250 BD682G 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 4A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 30mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 1.5A，3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 BD6883GUL-E2 BD6884GUW-E2 BD6886GUL-E2 BD6889GU-E2 BD6909AEFV-E2 BD6920FP-E2 BD6922FV-E2 BD6923FV-E2 BD6941FM-E2 BD6961F-E2 BD6962FVM-GTR BD6962FVM-TR BD6964F-GE2 BD6964FVM-GTR BD6964FVM-TR BD6965NUX-TR BD6966NUX-GE2 BD6967FVM-TR