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BCR119SH6433XTMA1

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  • BCR119SH6433XTMA1
    BCR119SH6433XTMA1

    BCR119SH6433XTMA1

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 6000

  • 英飛凌

  • NA

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  • -

  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

  • BCR119SH6433XTMA1
    BCR119SH6433XTMA1

    BCR119SH6433XTMA1

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • INFINEON

  • 1521+

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  • 全新原裝現(xiàn)貨

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  • 1
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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • AF DIGITAL TRANSISTORS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • TRANS NPN DGTL 50V 100MA SOT363
BCR119SH6433XTMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BCR119SH6327XTSA1 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):上次購(gòu)買時(shí)間 晶體管類型:2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR119SE6433HTMA1 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BCR119SE6327BTSA1 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR119E6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):上次購(gòu)買時(shí)間 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR116WH6327XTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):上次購(gòu)買時(shí)間 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR12CM-16LH#BB0 BCR12CS-12LB#B00 BCR12CS-12LBT1#BH0 BCR12FM-12LB#BB0 BCR12FM-14LB#FA0 BCR12FM-14LJ#BB0 BCR12LM-16LH-1#B00 BCR12PM-12LA#B00 BCR12PM-12LAA8#B00 BCR133E6327HTSA1 BCR133E6393HTSA1 BCR133E6433HTMA1 BCR133SB6327XT BCR133SE6327BTSA1 BCR133SE6433BTMA1 BCR133SH6327XTSA1 BCR133SH6433XTMA1 BCR133WE6327HTSA1
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