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B82466G152M

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  • 封裝
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  • B82466G152M
    B82466G152M

    B82466G152M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • EPCOS (TDK)

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百正品

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
B82466G152M PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 固定電感器 2.0X2.0X1.0mm 1.5uH 1.0A
  • RoHS
  • 制造商
  • AVX
  • 電感
  • 10 uH
  • 容差
  • 20 %
  • 最大直流電流
  • 1 A
  • 最大直流電阻
  • 0.075 Ohms
  • 工作溫度范圍
  • - 40 C to + 85 C
  • 自諧振頻率
  • 38 MHz
  • Q 最小值
  • 40
  • 尺寸
  • 4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H
  • 屏蔽
  • Shielded
  • 端接類型
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • 6.6 mm x 4.45 mm
B82466G152M 技術參數(shù)
  • B82466G103M 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 360mA 900 mOhm Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82466G0 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:360mA 電流 - 飽和值:400mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):900 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.079" 寬(2.00mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 B82466G102M 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 1.05A 105 mOhm Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82466G0 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:1.05A 電流 - 飽和值:1.2A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):105 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.079" 寬(2.00mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 B82464Z4684M 功能描述:680μH Shielded Wirewound Inductor 420mA 1.3 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464Z4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:680μH 容差:±20% 額定電流:420mA 電流 - 飽和值:460mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):1.3 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.189"(4.80mm) 標準包裝:1 B82464Z4683M 功能描述:68μH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 130 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464Z4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:68μH 容差:±20% 額定電流:1.3A 電流 - 飽和值:1.45A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):130 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.189"(4.80mm) 標準包裝:1 B82464Z4682M 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 4.3A 20 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464Z4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:4.3A 電流 - 飽和值:4.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):20 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.189"(4.80mm) 標準包裝:1 B82467G103M B82467G152M B82467G153M B82467G222M B82467G223M B82467G332M B82467G472M B82467G501M B82467G682M B82468A4102M B82468A4103M B82468A4152M B82468A4153M B82468A4222M B82468A4223M B82468A4332M B82468A4472M B82468A4682M
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