參數(shù)資料
型號(hào)： AUIRF3004WL
元件分類： JFETs
英文描述： 240 A, 40 V, 0.0014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-262 WIDELEAD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大小： 230K
代理商： AUIRF3004WL
AUIRF3004WL
4
www.irf.com
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Drain-to-Source Breakdown Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 11. Typical COSS Stored Energy
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 12. Maximum Avalanche Energy vs. DrainCurrent
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
1.0
10
100
1000
10000
I S
D
,R
ev
er
se
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
100
200
300
400
I D
,
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
Limited By Package
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
TJ , Temperature ( °C )
40
42
44
46
48
50
52
54
56
V
(B
R
)D
S
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
B
re
ak
do
w
n
V
ol
ta
ge
(V
)
Id = 5mA
-5
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
E
ne
rg
y
(μ
J)
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
E
A
S
,S
in
gl
e
P
ul
se
A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y
(m
J)
ID
TOP
45A
86A
BOTTOM 232A
0.1
1
10
100
VDS, Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
10000
I D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μsec
DC
Limited by package
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AV-10150-T-P-L 10000 MHz - 15000 MHz RF/MICROWAVE VARIABLE ATTENUATOR, 0.5 dB INSERTION LOSS-MAX
AV-10150-R-P-L 10000 MHz - 15000 MHz RF/MICROWAVE VARIABLE ATTENUATOR, 0.5 dB INSERTION LOSS-MAX
AV-10150-N-P-L 10000 MHz - 15000 MHz RF/MICROWAVE VARIABLE ATTENUATOR, 0.5 dB INSERTION LOSS-MAX
AV-3742-T-P-L 3700 MHz - 4200 MHz RF/MICROWAVE VARIABLE ATTENUATOR, 0.5 dB INSERTION LOSS-MAX
AV-3742-R-P-L 3700 MHz - 4200 MHz RF/MICROWAVE VARIABLE ATTENUATOR, 0.5 dB INSERTION LOSS-MAX
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AUIRF3205ZS 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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