- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄381435 > AT28BV64B-20PI (ATMEL CORP) 64K (8K x 8) Battery-Voltage⑩ Parallel EEPROM with Page Write and Software Data Protection PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | AT28BV64B-20PI |
| 廠商： | ATMEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64K (8K x 8) Battery-Voltage⑩ Parallel EEPROM with Page Write and Software Data Protection |
| 中文描述： | 8K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PDIP28 |
| 封裝： | 0.600 INCH, PLASTIC, MS-011AB, DIP-28 |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大小： | 254K |
| 代理商： | AT28BV64B-20PI |
AT28BV64B
9
Notes:
1. These parameters are characterized and not 100% tested.
2. See AC Read Characteristics.
Toggle Bit Waveforms
Notes:
1.
2.
3.
Toggling either OE or CE or both OE and CE will operate toggle bit.
Beginning and ending state of I/O6 will vary.
Any address location may be used, but the address should not vary.
Toggle Bit Characteristics
(1)
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
t
DH
Data Hold Time
10
ns
t
OEH
OE Hold Time
10
ns
t
OE
OE to Output Delay
(2)
ns
t
OEHP
OE High Pulse
150
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT28BV64B-20SC | 64K (8K x 8) Battery-Voltage⑩ Parallel EEPROM with Page Write and Software Data Protection |
| AT28BV64B-20SI | 64K (8K x 8) Battery-Voltage⑩ Parallel EEPROM with Page Write and Software Data Protection |
| AT28BV64B-20TC | 64K (8K x 8) Battery-Voltage⑩ Parallel EEPROM with Page Write and Software Data Protection |
| AT28BV64B-20TI | 64K (8K x 8) Battery-Voltage⑩ Parallel EEPROM with Page Write and Software Data Protection |
| AT28BV64B-25JC | 64K (8K x 8) Battery-Voltage⑩ Parallel EEPROM with Page Write and Software Data Protection |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AT28BV64B-20SA | 功能描述:IC EEPROM 64KBIT 200NS 28SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| AT28BV64B-20SC | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 200NS IND TEMP PKG- 200NS COM TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| AT28BV64B-20SI | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 200NS IND TEMP PKG- 200NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| AT28BV64B20SU | 制造商:ATMEL 功能描述:Pb Free |
| AT28BV64B-20SU | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 200NS IND TEMP GRN PKG RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。