參數(shù)資料
型號(hào): AS4C1M16E5
英文描述: 5V 1M x 16 CMOS DRAM (EDO)
中文描述: 5V的100萬(wàn)× 16的CMOS的DRAM(江戶)
文件頁(yè)數(shù): 6/22頁(yè)
文件大?。?/td> 617K
代理商: AS4C1M16E5
AS4C1M16E5
4/11/01; v.1.0
Alliance Semiconductor
P.
6 of 22
Write cycle
Read-modify-write cycle
Refresh cycle
Symbol
Parameter
-45
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
Write command setup time
0
0
0
ns
14
Write command hold time
10
10
10
ns
14
Write command pulse width
10
10
10
ns
Write command to RAS lead time
10
10
10
ns
Write command to CAS lead time
8
8
10
ns
Data-in setup time
0
0
0
ns
15
Data-in hold time
8
8
10
ns
15
Symbol
Parameter
-45
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
Read-write cycle time
105
113
135
ns
RAS to WE delay time
65
67
77
ns
14
CAS to WE delay time
30
32
35
ns
14
Column address to WE delay time
40
42
47
ns
14
Symbol
Parameter
-45
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
CSR
t
CHR
t
RPC
CAS setup time (CAS-before-RAS
)
5
5
5
ns
6
CAS hold time (CAS-before-RAS)
8
8
10
ns
6
RAS precharge to CAS hold time
0
0
0
ns
t
CPT
CAS precharge time
(CBR counter test)
10
10
10
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4C1M16E5-45JC DRAM|EDO|1MX16|CMOS|SOJ|42PIN|PLASTIC
AS4C1M16E5-45TC x16 EDO Page Mode DRAM
AS4C1M16E5-50JC DRAM|EDO|1MX16|CMOS|SOJ|42PIN|PLASTIC
AS4C1M16E5-50JI x16 EDO Page Mode DRAM
AS4C1M16E5-50TC DRAM|EDO|1MX16|CMOS|TSOP|50PIN|PLASTIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AS4C1M16E5-45JC 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)
AS4C1M16E5-45TC 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)
AS4C1M16E5-50JC 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)
AS4C1M16E5-50JI 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)
AS4C1M16E5-50TC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM|EDO|1MX16|CMOS|TSOP|50PIN|PLASTIC