參數(shù)資料
型號(hào)： AS4C1M16E5-60TI
英文描述： x16 EDO Page Mode DRAM
中文描述： x16 EDO公司頁(yè)面模式的DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 6/22頁(yè)
文件大小： 617K
代理商： AS4C1M16E5-60TI
AS4C1M16E5
4/11/01; v.1.0
Alliance Semiconductor
P.
6 of 22
Write cycle
Read-modify-write cycle
Refresh cycle
Symbol
Parameter
-45
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
Write command setup time
0
–
0
–
0
–
ns
14
Write command hold time
10
–
10
–
10
–
ns
14
Write command pulse width
10
–
10
–
10
–
ns
Write command to RAS lead time
10
–
10
–
10
–
ns
Write command to CAS lead time
8
–
8
–
10
–
ns
Data-in setup time
0
–
0
–
0
–
ns
15
Data-in hold time
8
–
8
–
10
–
ns
15
Symbol
Parameter
-45
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
Read-write cycle time
105
–
113
–
135
–
ns
RAS to WE delay time
65
–
67
–
77
–
ns
14
CAS to WE delay time
30
–
32
–
35
–
ns
14
Column address to WE delay time
40
–
42
–
47
–
ns
14
Symbol
Parameter
-45
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
CSR
t
CHR
t
RPC
CAS setup time (CAS-before-RAS
)
5
–
5
–
5
–
ns
6
CAS hold time (CAS-before-RAS)
8
–
8
–
10
–
ns
6
RAS precharge to CAS hold time
0
–
0
–
0
–
ns
t
CPT
CAS precharge time
(CBR counter test)
10
–
10
–
10
–
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4LC1M16E0-60JC x16 EDO Page Mode DRAM
AS4LC1M16E0-70JC x16 EDO Page Mode DRAM
AS4C14400-40JC x4 Fast Page Mode DRAM
AS4C14400-40TC x4 Fast Page Mode DRAM
AS4C14400-70JC x4 Fast Page Mode DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AS4C1M16F5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:5V 1M X 16 CMOS DRAM
AS4C1M16F5-50JC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:5V 1M X 16 CMOS DRAM
AS4C1M16F5-50JI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:5V 1M X 16 CMOS DRAM
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