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參數資料
| 型號： | AS4C1M16E5-60TC |
| 英文描述： | DRAM|EDO|1MX16|CMOS|TSOP|50PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 內存| EDO公司| 1MX16 |的CMOS |的TSOP | 50PIN |塑料 |
| 文件頁數： | 6/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 617K |
| 代理商： | AS4C1M16E5-60TC |
AS4C1M16E5
4/11/01; v.1.0
Alliance Semiconductor
P.
6 of 22
Write cycle
Read-modify-write cycle
Refresh cycle
Symbol
Parameter
-45
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
Write command setup time
0
–
0
–
0
–
ns
14
Write command hold time
10
–
10
–
10
–
ns
14
Write command pulse width
10
–
10
–
10
–
ns
Write command to RAS lead time
10
–
10
–
10
–
ns
Write command to CAS lead time
8
–
8
–
10
–
ns
Data-in setup time
0
–
0
–
0
–
ns
15
Data-in hold time
8
–
8
–
10
–
ns
15
Symbol
Parameter
-45
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
Read-write cycle time
105
–
113
–
135
–
ns
RAS to WE delay time
65
–
67
–
77
–
ns
14
CAS to WE delay time
30
–
32
–
35
–
ns
14
Column address to WE delay time
40
–
42
–
47
–
ns
14
Symbol
Parameter
-45
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
CSR
t
CHR
t
RPC
CAS setup time (CAS-before-RAS
)
5
–
5
–
5
–
ns
6
CAS hold time (CAS-before-RAS)
8
–
8
–
10
–
ns
6
RAS precharge to CAS hold time
0
–
0
–
0
–
ns
t
CPT
CAS precharge time
(CBR counter test)
10
–
10
–
10
–
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數描述 |
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