參數(shù)資料
型號(hào): AS4C1M16E5-60JI
英文描述: x16 EDO Page Mode DRAM
中文描述: x16 EDO公司頁(yè)面模式的DRAM
文件頁(yè)數(shù): 12/22頁(yè)
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代理商: AS4C1M16E5-60JI
AS4C1M16E5
4/11/01; v.1.0
Alliance Semiconductor
P.
12 of 22
Write waveform
OE controlled
Upper byte write waveform
OE controlled
Row address
t
RAS
t
RC
t
RP
t
CRP
t
RSH
t
RCD
t
CSH
t
CAS
t
RAH
t
RAL
t
RAD
t
CAH
t
CWL
tR
WL
t
OEH
t
DS
t
DH
Data in
RAS
UCAS,
LCAS
Address
WE
OE
DQ
Column address
t
WP
t
ASC
t
ASR
t
OED
t
RAS
t
RC
t
RP
t
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RAD
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ASC
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CSH
t
CRP
t
CRP
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RPC
t
RWL
t
WP
t
OEH
t
DS
t
DH
t
OED
Row address
Column address
Data in
RAS
Address
UCAS
LCAS
WE
OE
Upper DQ
Lower DQ
t
CRP
t
RAH
t
RCD
t
CAS
t
RSH
t
CWL
t
ASR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4C1M16E5-60TC DRAM|EDO|1MX16|CMOS|TSOP|50PIN|PLASTIC
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AS4LC1M16E0-60JC x16 EDO Page Mode DRAM
AS4LC1M16E0-70JC x16 EDO Page Mode DRAM
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參數(shù)描述
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