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參數(shù)資料
| 型號： | APTM60A23UT1G |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 20 A, 600 V, 0.276 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大小： | 139K |
| 代理商： | APTM60A23UT1G |
APTM60A23UT1G
APT
M
60A23UT
1
G
–
Rev
0
Decem
b
er
,2007
www.microsemi.com
5 – 5
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
60
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
VSD, Source to Drain Voltage (V)
I SD
,Reverse
Drai
n
C
u
rren
t(A)
Drain Current vs Source to Drain Voltage
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
erm
a
lI
m
ped
a
n
ce
(°
C
/W)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTM60H23FT1G | 20 A, 600 V, 0.23 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTML1002U60R020T3AG | 20 A, 1000 V, 0.72 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTML202UM18R010T3AG | 109 A, 200 V, 0.019 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTML502UM90R020T3AG | 52 A, 500 V, 0.108 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APXD873.3M | MOBILE STATION ANTENNA, 5 dBi GAIN |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTM60H23FT1G | 功能描述:MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:- 標準包裝:10 系列:* |
| APTM60H23UT1G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR |
| APTMC120AM08CD3AG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE DISCRETES/MODULES 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES |
| APTMC120AM09CT3AG | 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:295A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 200A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（標準） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:644nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11000pF @ 1000V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 |
| APTMC120AM12CT3AG | 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:220A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 150A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（標準） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:483nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8400pF @ 1000V 功率 - 最大值:925W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 |
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