參數(shù)資料
型號(hào)： APT15GT120BRDQ1
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 254K
代理商： APT15GT120BRDQ1
052-6267
Re
v
D
6-2008
APT15GT120BRDQ1(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
Z
θJC
,THERMAL
IMPED
ANCE
(°C/W)
0.3
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure19a,MaximumEffectiveTransientThermalImpedance,Junction-To-CasevsPulseDuration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
2,000
1,000
500
100
50
10
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
C
,CAP
A
CIT
ANCE
(
P
F)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure17,Capacitancevs Collector-To-EmitterVoltage
Figure18,MinimimSwitchingSafeOperatingArea
0
10
20
30
40
50
0
200
400
600
800 1000 1200 1400
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0
5
10
15
20
25
30
F
MAX
,OPERA
TING
FREQ
UENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure20,OperatingFrequencyvsCollectorCurrent
T
J = 125°C
T
C = 75°C
D = 50 %
V
CE = 800V
R
G = 5
400
100
50
10
5
1
C
ies
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, fmax2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - Pcond
E
on2 + Eoff
f
max2 =
P
diss =
T
J - TC
RθJC
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
C
oes
C
res
0.271
0.229
0.00471
0.0898
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp. (°C)
Case temperature. (°C)
D = 0.9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT15GT60BRDQ1 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT15GT60KR 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
APT17M120JCU3 17 A, 1200 V, 0.816 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT18-3026R 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
APT18-3026 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT15GT120BRDQ1G 功能描述:IGBT 1200V 36A 250W TO247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT15GT120BRG 功能描述:IGBT 1200V 36A 250W TO247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT15GT120SRG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT
APT15GT60BR 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
APT15GT60BRD 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*