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參數(shù)資料
| 型號： | APT15GT120BRDQ1 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 254K |
| 代理商： | APT15GT120BRDQ1 |
052-6267
Re
v
D
6-2008
APT15GT120BRDQ1(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
V
GS(TH)
,
THRESHOLD
V
OL
TA
GE
V
CE
,COLLECT
OR-T
O-EMITTER
V
OL
TA
GE
(V)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
(NORMALIZED)
I C,
DC
COLLECT
OR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECT
OR-T
O-EMITTER
V
OL
TA
GE
(V)
V
GE
,GA
TE-T
O-EMITTER
V
OL
TA
GE
(V)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
250s PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
60
50
40
30
20
10
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
6
5
4
3
2
1
0
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
14V
12V
11V
10V
13V
9V
8V
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
V
GE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
15V
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
6
5
4
3
2
1
0
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE1,OutputCharacteristics(T
J =25°C)
FIGURE2,OutputCharacteristics(T
J =125°C)
V
GE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE3,TransferCharacteristics
FIGURE4,GateCharge
V
GE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
T
J,JunctionTemperature(°C)
FIGURE5,OnStateVoltagevsGate-to-EmitterVoltage
FIGURE6,OnStateVoltagevsJunctionTemperature
T
J,JUNCTIONTEMPERATURE(°C)
T
C,CASETEMPERATURE(°C)
FIGURE7,ThresholdVoltagevs.JunctionTemperature
FIGURE8,DCCollectorCurrentvsCaseTemperature
0
1
2
3
4
5
6
7
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
14
0
20
40
60
80
100
120
9
10
11
12
13
14
15
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
V
CE = 960V
V
CE = 600V
V
CE = 240V
I
C = 15A
T
J = 25°C
T
J = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C = 30A
I
C = 15A
I
C = 7.5A
I
C = 30A
I
C = 15A
I
C = 7.5A
V
GE = 15V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| APT18-3026R | 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| APT18-3026 | 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| APT15GT120SRG | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT |
| APT15GT60BR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. |
| APT15GT60BRD | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. |
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