Revision 17 2-87 Embedded FlashROM Characteristics Timing Characteristics 1.5 V DC Core Voltage " />
參數(shù)資料
型號(hào)： AGLN060V2-ZVQ100I
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 6/150頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA NANO 1KB 60K 100VQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： IGLOO nano
邏輯元件/單元數(shù)： 1536
RAM 位總計(jì)： 18432
輸入/輸出數(shù)： 71
門數(shù)： 60000
電源電壓： 1.14 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 100-VQFP（14x14）
IGLOO nano Low Power Flash FPGAs
Revision 17
2-87
Embedded FlashROM Characteristics
Timing Characteristics
1.5 V DC Core Voltage
1.2 V DC Core Voltage
Figure 2-41 Timing Diagram
A0
A1
tSU
tHOLD
tSU
tHOLD
tSU
tHOLD
tCKQ2
CLK
Address
Data
D0
D1
Table 2-108 Embedded FlashROM Access Time
Worst Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, VCC = 1.425 V
Parameter
Description
Std.
Units
tSU
Address Setup Time
0.57
ns
tHOLD
Address Hold Time
0.00
ns
tCK2Q
Clock to Out
20.90
ns
FMAX
Maximum Clock Frequency
15
MHz
Table 2-109 Embedded FlashROM Access Time
Worst Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, VCC = 1.14 V
Parameter
Description
Std.
Units
tSU
Address Setup Time
0.59
ns
tHOLD
Address Hold Time
0.00
ns
tCK2Q
Clock to Out
35.74
ns
FMAX
Maximum Clock Frequency
10
MHz
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PDF描述
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