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AS6C8016A-45ZIN

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AS6C8016A-45ZIN 技術參數(shù)
  • AS6C8016-55ZINTR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray AS6C8016-55ZIN 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray AS6C8016-55TINTR 功能描述:48PIN TSOP I 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:易失 存儲器格式:SRAM 技術:SRAM - 異步 存儲容量:8Mb （512K x 16） 寫周期時間 - 字，頁:55ns 訪問時間:55ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 標準包裝:1,500 AS6C8016-55TIN 功能描述:48PIN TSOP I 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:易失 存儲器格式:SRAM 技術:SRAM - 異步 存儲容量:8Mb （512K x 16） 寫周期時間 - 字，頁:55ns 訪問時間:55ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 標準包裝:96 AS6C8016-55BINTR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray AS705-125A-XH AS7210 AS7211-BLGT AS7220-BLGT AS7221 AS7221-BLGT AS7225 DEMO KIT AS7225-BLGT AS722X/1X DEMO KIT AS7261 AS7261 DEMO KIT AS7261-BLGT AS7261N-BLGT AS7262 AS7262 DEMO KIT AS7262-BLGT AS7263 AS7263 DEMO KIT
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