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APTGT30DSK60T3G

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APTGT30DSK60T3G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3
  • RoHS
  • 類別
  • 半導體模塊 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)
  • 600V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開)
  • 1.4V @ 15V,100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 430A
  • 電流 - 集電極截止(最大)
  • 100µA
  • Vce 時的輸入電容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 輸入
  • 標準
  • NTC 熱敏電阻
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應商設備封裝
  • SOT-227B
APTGT30DSK60T3G 技術參數
  • APTGT30DDA60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual Boost Chopper 600V 50A 90W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:雙路升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50A 功率 - 最大值:90W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.9V @ 15V,30A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):1.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGT30DA170T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 45A 210W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):45A 功率 - 最大值:210W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,30A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):2.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT30DA170D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 45A 210W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):45A 功率 - 最大值:210W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,30A 電流 - 集電極截止(最大值):3mA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):2.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D1 供應商器件封裝:D1 標準包裝:1 APTGT30A60T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 50A 90W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50A 功率 - 最大值:90W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.9V @ 15V,30A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):1.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT30A170T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 45A 210W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):45A 功率 - 最大值:210W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,30A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):2.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT35A120T1G APTGT35DA120D1G APTGT35H120T1G APTGT35H120T3G APTGT35SK120D1G APTGT35X120T3G APTGT400A120D3G APTGT400A120G APTGT400A60D3G APTGT400DA120D3G APTGT400DA120G APTGT400DA60D3G APTGT400DU120G APTGT400SK120D3G APTGT400SK120G APTGT400SK60D3G APTGT400TL65G APTGT400U120D4G
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