APT70GR65B2SCD30

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

APT70GR65B2SCD30
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc,iscsemi
PLUS247,T-Max
2024+
-
國產(chǎn)品牌，可替代原裝

APT70GR65B2SCD30
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室
9688
TI
NA
19+
-
公司全新原裝正品,QQ153058080...

APT70GR65B2SCD30
深圳市科宏特電子有限公司
深圳市科宏特電子有限公司
聯(lián)系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148
36000000
Microsemi
22+
-
原裝正品

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功能描述
IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2]
制造商
microsemi corporation
系列
*
包裝
散裝
零件狀態(tài)
有效
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
134A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
260A
不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）
2.4V @ 15V，70A
功率 - 最大值
595W
開關(guān)能量
*
輸入類型
*
柵極電荷
305nC
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值
19ns/170ns
測試條件
433V，70A，4.3 歐姆，15V
反向恢復(fù)時(shí)間（trr）
-
封裝/外殼
TO-247-3
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
T-MAX? [B2]
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

APT70GR65B2SCD30 技術(shù)參數(shù)

APT70GR65B2DU40 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):280A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，70A 功率 - 最大值:595W 開關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:305nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:18ns/170ns 測試條件:433V，70A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR65B 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):260A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，70A 功率 - 最大值:595W 開關(guān)能量:1.51mJ（開），1.46mJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:305nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:19ns/170ns 測試條件:433V，70A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR120L 功能描述:IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:160A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):280A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，70A 功率 - 最大值:961W 開關(guān)能量:3.82mJ（開），2.58mJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:544nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:33ns/278ns 測試條件:600V，70A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR120JD60 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:112A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，70A 電流 - 集電極截止（最大值）:1.1mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:7.26nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR120J 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:112A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，70A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:7.26nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75F50B2 APT75F50L APT75GN120B2G APT75GN120J APT75GN120JDQ3 APT75GN120JDQ3G APT75GN120LG APT75GN60B2DQ3G APT75GN60BG APT75GN60LDQ3G APT75GP120B2G APT75GP120J APT75GP120JDQ3 APT75GT120JRDQ3 APT75GT120JU2 APT75GT120JU3 APT75M50B2 APT75M50L