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APT50M60L2VFR

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  • APT50M60L2VFR
    APT50M60L2VFR

    APT50M60L2VFR

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴(lài)先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 13702

  • APT

  • 直插/貼片

  • 2025+

  • -

  • 全國(guó)最底價(jià)現(xiàn)貨

  • APT50M60L2VFR
    APT50M60L2VFR

    APT50M60L2VFR

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • APT

  • TO

  • 07/08+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • APT50M60L2VFR
    APT50M60L2VFR

    APT50M60L2VFR

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • APT

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共17條 
  • 1
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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全稱(chēng)
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT50M60L2VFR 技術(shù)參數(shù)
  • APT50M50JLL 功能描述:MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:71A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 35.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:200nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10550pF @ 25V 功率 - 最大值:595W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50M38JLL 功能描述:MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:88A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 44A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:12000pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APT50GT60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:110A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，50A 功率 - 最大值:446W 開(kāi)關(guān)能量:995μJ（開(kāi)），1070μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:240nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:14ns/240ns 測(cè)試條件:400V，50A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50GT60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:110A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，50A 功率 - 最大值:446W 開(kāi)關(guān)能量:995μJ（開(kāi)），1070μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:240nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:14ns/240ns 測(cè)試條件:400V，50A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:22ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50GT120LRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 1200V 106A 694W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:106A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 功率 - 最大值:694W 開(kāi)關(guān)能量:2585μJ（開(kāi)），1910μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:240nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:23ns/215ns 測(cè)試條件:800V，50A，1 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50MC120JCU2 APT50N60JCCU2 APT50N60JCU2 APT51F50J APT51M50J APT53F80J APT53N60BC6 APT54GA60B APT54GA60BD30 APT5510JFLL APT5518BFLLG APT55M50JFLL APT55M65JFLL APT56F50B2 APT56F50L APT56F60B2 APT56F60L APT56M50B2
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