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APT5012LNR

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  • APT5012LNR
    APT5012LNR

    APT5012LNR

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • SANKEN

  •  

  • 09/10+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • APT5012LNR?
    APT5012LNR?

    APT5012LNR?

  • 深圳市時(shí)興宇電子有限公司
    深圳市時(shí)興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話(huà)：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈A座19樓19G

  • 8998

  • APT

  • TO-3PL

  • 10+

  • -

  • 絕對(duì)公司原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共16條 
  • 1
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  • 制造商
  • 未知廠(chǎng)家
  • 制造商全稱(chēng)
  • 未知廠(chǎng)家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-264AA
APT5012LNR 技術(shù)參數(shù)
  • APT5012JN 功能描述:MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:43A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:370nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:6500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:520W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 21.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT5010LLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:46A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:95nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4360pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT5010LFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:46A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:95nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4360pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT5010JVRU3 功能描述:MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:44A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 22A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:312nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7410pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT5010JVRU2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:44A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 22A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:312nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7410pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT5024BLLG APT5025BN APT50DF170HJ APT50DL120HJ APT50DL60HJ APT50GF120B2RG APT50GF120JRDQ3 APT50GF120LRG APT50GF60JU2 APT50GF60JU3 APT50GLQ65JU2 APT50GN120B2G APT50GN120L2DQ2G APT50GN60BDQ2G APT50GN60BG APT50GP60B2DQ2G APT50GP60BG APT50GP60J
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