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APT30M36B2LLG

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  • APT30M36B2LLG
    APT30M36B2LLG

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  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李燕兵

    電話：82525918

    地址：深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • MICROSE

  • T-MAX.3

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  • 全新原裝現(xiàn)貨供應

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    APT30M36B2LLG

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  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：高先生/曹先生/周小姐

    電話：185208051481348786585213760272017

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 72553

  • Microchip / Microsemi

  • T-MAX-3

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

  • APT30M36B2LLG
    APT30M36B2LLG

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  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 1073

  • MICROSE

  • T-MAX.3

  • 1130+RO

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨/特價

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MOSFET - MOS7 - Rail/Tube
APT30M36B2LLG 技術參數(shù)
  • APT30M19JVR 功能描述:MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:130A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:975nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT30M19JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:130A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:975nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT30GT60KRG 功能描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 開關能量:525μJ（開），600μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:145nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/225ns 測試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 [K] 標準包裝:50 APT30GT60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 開關能量:525μJ（開），600μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:145nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/225ns 測試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT30GT60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 開關能量:80μJ（開），605μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:7.5nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/225ns 測試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:22ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT30N60KC6 APT30S20BCTG APT30S20BG APT30S20SG APT30SCD120B APT30SCD120S APT30SCD65B APT31M100B2 APT31M100L APT31N60BCSG APT31N80JC3 APT3216CGCK APT3216EC APT3216LSECK/J3-PRV APT3216LSECK/J4-PRV APT3216LSYCK/J3-PRV APT3216LVBC/D APT3216LZGCK
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