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APT200GT60JR

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APT200GT60JR
    APT200GT60JR

    APT200GT60JR

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • APT

  • MODULE

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • APT200GT60JR
    APT200GT60JR

    APT200GT60JR

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SOT-227-4

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • APT200GT60JR
    APT200GT60JR

    APT200GT60JR

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 250

  • APT

  • 100A/600V/IGBT/1U

  • 2024+

  • -

  • 全新現(xiàn)貨價格優(yōu)勢

  • APT200GT60JR
    APT200GT60JR

    APT200GT60JR

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯(lián)系人：劉小姐

    電話：15961889150

    地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • ISOTOP，SOT-227

  • 24+

  • -

  • 國產(chǎn)品牌，替代進口

  • APT200GT60JR
    APT200GT60JR

    APT200GT60JR

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 94

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • APT200GT60JR
    APT200GT60JR

    APT200GT60JR

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人：銷售經(jīng)理：馬先生

    電話：0755-8335078918923859456

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)中航路都會B座10012M

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 26550

  • 正品封裝

  • 23+

  • -

  • 正規(guī)商現(xiàn)貨供應(yīng)

  • APT200GT60JR
    APT200GT60JR

    APT200GT60JR

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • IGBT 600V 195A ISOTO

  • 22+

  • -

  • APT200GT60JR
    APT200GT60JR

    APT200GT60JR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 98653

  • 原廠

  • MODULE

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨??！

  • APT200GT60JR
    APT200GT60JR

    APT200GT60JR

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 9600

  • ISOTOP?/FONT>

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -

  • 原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
APT200GT60JR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY - SING - Rail/Tube
APT200GT60JR 技術(shù)參數(shù)
  • APT200GN60JG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:25μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:30 APT200GN60JDQ4G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:30 APT200GN60JDQ4 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT200GN60J 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:25μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT200GN60B2G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:283A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):600A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 功率 - 最大值:682W 開關(guān)能量:13mJ（開）， 11mJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:1180nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:50ns/560ns 測試條件:400V，200A，1 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標準包裝:1 APT2012P3BT APT2012PBC/A APT2012PR54F/A-SC APT2012QBC/D APT2012QWF/F APT2012RWF/A APT2012SECK APT2012SECK/J3-PRV APT2012SECK/J4-PRV APT2012SF4C-PRV APT2012SGC APT2012SRCPRV APT2012SURCK APT2012SYCK APT2012SYCK/J3-PRV APT2012VBC/D APT2012YC APT2012ZGC
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