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AON6406

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  • AON6406
    AON6406

    AON6406

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ALPHA

  • SOP8

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理，原裝正品現(xiàn)貨！

  • AON6406
    AON6406

    AON6406

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • 有30000個Sinopower

  • DFN56

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共27條 
  • 1
AON6406 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
AON6406 技術參數
  • AON6405L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta），30A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:105nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5500pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN（5x6） 標準包裝:1 AON6404A_001 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A DFN5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A（Ta），85A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.3 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5210pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN（5x6） 標準包裝:1 AON6404A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A DFN5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A（Ta），85A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.3 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5210pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN（5x6） 標準包裝:1 AON6404 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A（Ta），85A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:155nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9000pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN（5x6） 標準包裝:3,000 AON6403 功能描述:MOSFET P-CH 30V 21A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:21A（Ta），85A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.1 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:196nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9120pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN（5x6） 標準包裝:1 AON6416 AON6418 AON6424 AON6424A AON6426 AON6428_103 AON6428L AON6435 AON6442 AON6444 AON6448 AON6450 AON6450L AON6450L_001 AON6452 AON6454A AON6454A_001 AON6458
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