AOD5B65N1

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

AOD5B65N1
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯(lián)系人：林S
電話：400-666-5385
地址：華強北都會軒4507
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
30000
AOS/萬代
DPAK(TO-252)
21+
-
優(yōu)勢供應(yīng) 實單必成可13點增值稅

AOD5B65N1
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6750
isc,iscsemi
DPAK/TO-252
2024+
-
國產(chǎn)品牌，可替代原裝

1/1頁 40條/頁共1條
1

您是不是要找： AOD5N40 AOD5N50 AOD5N50M AOD5T40P AOD5T40P_101 AOD603A AOD604 AOD606 AOD607

AOD5B65N1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

AOD5B65N1 PDF下載

功能描述
IGBT 650V 5A TO252
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
Alpha IGBT??
零件狀態(tài)
在售
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
10A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
15A
不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）
2.5V @ 15V，5A
功率 - 最大值
52W
開關(guān)能量
81μJ (開), 49μJ (關(guān))
輸入類型
標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷
9.2nC
25°C 時 Td（開/關(guān)）值
8ns/73ns
測試條件
400V，5A，60 歐姆，15V
反向恢復(fù)時間（trr）
170ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝
TO-252，（D-Pak）
標(biāo)準(zhǔn)包裝
2,500

AOD5B65N1 技術(shù)參數(shù)

AOD5B65M1 功能描述:IGBT 650V 5A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):15A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.98V @ 15V，5A 功率 - 最大值:69W 開關(guān)能量:80μJ（開），70μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:14nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:8.5ns/106ns 測試條件:400V，5A，60 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:195ns 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-252 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOD5B60D 功能描述:IGBT 600V 10A 54.4W TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:23A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.8V @ 15V， 5A 功率 - 最大值:54.4W 開關(guān)能量:140μJ（開），40μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:9.4nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:12ns/82ns 測試條件:400V，5A，60 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:98ns 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 AOD538 功能描述:MOSFET N-CH 30V 34A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:34A（Ta），70A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:42nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2160pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:4.2W（Ta），24W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.1 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak）封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 AOD528 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A（Ta），50A（Tc）不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1400pF @ 15V FET 功能:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.4 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak）封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOD526_DELTA 功能描述:MOSFET N-CH DPAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):最後搶購 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:33nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1550pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak）封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 AOD607_001 AOD607_DELTA AOD607A AOD609 AOD661 AOD6N50 AOD7B65M3 AOD7N60 AOD7N65 AOD7S60 AOD7S65 AOD8N25 AOD9N40 AOD9N50 AOD9T40P AOE6922 AOE6930 AOE6932