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AO7414_001

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AO7414_001 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 20V 2A SC70-3
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 過期
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 2A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 62 毫歐 @ 2A,4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 3.8nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 320pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
  • 350mW
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • SC-70,SOT-323
  • 供應商器件封裝
  • SC-70-3
  • 標準包裝
  • 1
AO7414_001 技術(shù)參數(shù)
  • AO7414 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2A SC70-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):62 毫歐 @ 2A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):320pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SC-70-3 標準包裝:3,000 AO7413_030 功能描述:MOSFET P-CH SC70-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.4A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):4.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):400pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):113 毫歐 @ 1.4A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SC-70-3 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 標準包裝:3,000 AO7413 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):113 毫歐 @ 1.4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):400pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SC-70-3 標準包裝:1 AO7412 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.1A SC70-6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 2.1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):270pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:SC-70-6 標準包裝:1 AO7411 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.8A SC70-6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 1.8A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):800mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.24nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):524pF @ 10V 功率 - 最大值:630mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:SC-70-6 標準包裝:1 AO8801L AO8803 AO8804 AO8804_100 AO8804L AO8807 AO8808A AO8810 AO8810#A AO8814 AO8814#A AO8818 AO8820 AO8822 AO8822#A AO8830 AO9926B AO9926BL
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