ALD210808APCL

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功能描述
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
制造商
advanced linear devices inc.
系列
EPAD?，Zero Threshold?
包裝
管件
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
4 N 溝道，配對(duì)
FET 功能
邏輯電平門(mén)
漏源極電壓（Vdss）
10.6V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
80mA
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
-
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
20mV @ 10μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
-
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
-
功率 - 最大值
500mW
工作溫度
0°C ~ 70°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
16-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商器件封裝
16-PDIP
標(biāo)準(zhǔn)包裝
50

ALD210808APCL 技術(shù)參數(shù)

ALD210804SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對(duì) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD210804PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對(duì) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:16-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:16-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD210802SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對(duì) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD210802PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對(duì) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:16-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:16-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD210800SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道，配對(duì) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 歐姆不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:15pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD212902PAL ALD212902SAL ALD212904PAL ALD212904SAL ALD212908APAL ALD212908ASAL ALD212908PAL ALD212908SAL ALD212914PAL ALD212914SAL ALD214012PJ111 ALD2301APAL ALD2301ASAL ALD2301BPAL ALD2301BSAL ALD2301CPAL ALD2301CSAL ALD2301PAL