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> STY100NS20FD (意法半導(dǎo)體) N-CHANNEL 200V - 0.022ohm - 100A Max247 MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
型號(hào):
STY100NS20FD
廠商:
意法半導(dǎo)體
英文描述:
N-CHANNEL 200V - 0.022ohm - 100A Max247 MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
中文描述:
N溝道200伏- 0.022ohm - 100號(hào)A Max247網(wǎng)眼密胺⑩功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù):
4/8頁(yè)
文件大?。?/td>
260K
代理商:
STY100NS20FD
第1頁(yè)
第2頁(yè)
第3頁(yè)
當(dāng)前第4頁(yè)
第5頁(yè)
第6頁(yè)
第7頁(yè)
第8頁(yè)
STY100NS20FD
4/8
Capacitance Variations
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
Transfer Characteristics
Output Characteristics
Gate Charge vs Gate-source Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SW-276B
High Power GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz
SW-276G
High Power GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz
SW-276T1
High Power GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz
SW-369
GaAs Matched SP4T Switch 0.02-2 GHz
SW-369PIN
GaAs Matched SP4T Switch 0.02-2 GHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STY100NS20FD_06
制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 200V - 0.022Ω - 100A - Max247 MESH OVERLAY? Power MOSFET
STY105NM50N
功能描述:MOSFET N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STY112N65M5
功能描述:MOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STY130NF20D
功能描述:MOSFET N-Ch 200V 0.01 Ohm 130A STripFET II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STY139N65M5
功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh V 130A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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