參數(shù)資料
型號(hào)： KM23V8105D
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 8M-Bit (1Mx8 /512Kx16) CMOS MASK ROM
中文描述： 800萬(wàn)位（1Mx8 / 512Kx16）的CMOS掩膜ROM
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 91K
代理商： KM23V8105D
KM23V8105D(G)
CMOS MASK ROM
TEST CONDITIONS
Item
Value
Input Pulse Levels
0.45V to 2.4V
Input Rise and Fall Times
10ns
Input and Output timing Levels
1.5V
Output Loads
1 TTL Gate and C
L
=100pF
AC CHARACTERISTICS
(T
A
=0
°
C to +70
°
C, V
CC
=3.3V/3.0V
±
0.3V, unless otherwise noted.)
READ CYCLE
NOTE
: Page Address is determined as below.
Word mode (BHE = V
IH
) : A
0
, A
1
Byte mode (BHE = V
IL
) : A-
1
, A
0
, A
1
Item
Symbol
Vcc=3.3V
±
0.3V
Vcc=3.0V
±
0.3V
Unit
Min
Max
Min
Max
Read Cycle Time
t
RC
100
120
ns
Chip Enable Access Time
t
ACE
100
120
ns
Address Access Time
t
AA
100
120
ns
Page Address Access Time
t
PA
30
50
ns
Output Enable Access Time
t
OE
30
50
ns
Output or Chip Disable to
Output High-Z
t
DF
20
20
ns
Output Hold from Address Change
t
OH
0
0
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM23V8105DG 8M-Bit (1Mx8 /512Kx16) CMOS MASK ROM
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KM29N040T 512K x 8 Bit NAND Flash Memory(512K x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器)
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參數(shù)描述
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