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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 3SK230 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | N-Channel Silicon Dual-Gate MOSFET(應(yīng)用于RF放大器的N溝道雙門(mén)MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道硅雙柵MOSFET（應(yīng)用于射頻放大器的? MOSFET的溝道雙門(mén)） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 66K |
| 代理商： | 3SK230 |
3
3SK230
CHARACTERISTIC CURVE (T
A
= 25
°
C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
P
T
T
A
- Ambient Temperature - °C
I
D
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
GATE1 TO SOURCE VOLTAGE
|
f
|
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - mA
V
= 6 V
f = 1 kHz
INPUT CAPACITANCE vs.
GATE2 TO SOURCE VOLTAGE
V
= 6 V
f = 1 kHz
C
i
V
G2S
- Gate2 to Source Voltage - V
I
= 10 mA
(at V
= 6 V
V
= 4.5 V)
f = 1 MH
Z
125
0
25
50
75
100
100
200
300
400
10
0
5
10
20
30
40
50
DRAIN CURRENT vs.
GATE1 TO SOURCE VOLTAGE
0
5
10
15
20
25
–1
0
1
2
3
4
I
D
0
5
10
15
20
25
–1
0
1
2
3
4
V
GIS
- Gate1 to Source Voltage - V
V
GIS
- Gate 1 to Source Voltage - V
0
1.0
2.0
3.0
4.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
5.0
|
f
|
4
8
16
24
32
40
0
8
12
16
20
V
G2S
= 4.5 V
Free Air
V
DS
= 6 V
V
G1S
= 3 V
2.5 V
2.0 V
1.5 V
1.0 V
0.5 V
V
G2S
= 5 V
4 V
3 V
2 V
V
G2S
= 3.5 V
3.0 V
2.5 V
2.0 V
1.5 V
V
G2S
= 6 V
5 V
4 V
3 V
2 V
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參數(shù)描述 |
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