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3M 1093 1/2" X 36YD

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  • 3M 1093 1/2
    3M 1093 1/2

    3M 1093 1/2" X 36YD

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

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  • 16+/17+

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3M 1093 1/2" X 36YD PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 3M 1093 ELECTRICAL TAPE POLYIMID
  • 制造商
  • 3m (tc)
  • 系列
  • 1093
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
3M 1093 1/2" X 36YD 技術(shù)參數(shù)
  • 3M 1046 0.5" X 60YDS 功能描述:3M 1046 POLYESTER FILM/GLASS FIL 制造商:3m (tc) 系列:1046 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 3LP01S-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.4 歐姆 @ 50mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7.5pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SMCP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 3LP01SS-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.4 歐姆 @ 50mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7.5pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SMCP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 3LP01SS-TL-EX 功能描述:MOSFET P-CH 30V SOT-623 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1.43nC @ 10V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):7.5pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):150mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.4 歐姆 @ 50mA,4V 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:3-SSFP 封裝/外殼:SC-81 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 3LP01SS-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.4 歐姆 @ 50mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7.5pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-81 供應(yīng)商器件封裝:3-SSFP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 3M 1120 1/2" X 3"-100 3M 1120 1/2" X 4"-100 3M 1120 2"SQ-100 3M 1120 3/4" X 2"-100 3M 1120 3/4" X 3"-100 3M 1120 3/4" X 4"-100 3M 1120 CIRCLE-0.5"-250 3M 1120 CIRCLE-0.75"-250 3M 1120 CIRCLE-1"-250 3M 1120 CIRCLE-1.5"-100 3M 1120 CIRCLE-2"-100 3M 1125 0.5"SQ-250 3M 1125 0.75"SQ-250 3M 1125 1" X 2"-100 3M 1125 1" X 3"-100 3M 1125 1" X 4"-100 3M 1125 1"SQ-250 3M 1125 1.5"SQ-100
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