參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2901-01L
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
中文描述： 45 A, 60 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TPACK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 114K
代理商： 2SK2901-01L
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
1
10
2
10
3
10
4
t
ID [A]
td(off)
tf
tr
td(on)
Typical Switching Characteristics vs. ID
t=f(ID):Vcc=30V,VGS=10V,RG=10
0
20
40
60
80
100
120
140
0
5
10
15
20
25
12V
30V
Vcc=48V
Typical Gate Charge Characteristics
VGS=f(Qg):ID=45A,Tch=25°C
0
10
20
30
40
50
V
V
Qg [nC]
VGS
VDS
2SK2901-01L,S
FUJI POWER MOSFET
-50
0
50
100
150
0
5
10
15
20
25
30
35
max.
typ.
Drain-source on-state resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=22.5A,VGS=10V
R
]
Tch [°C]
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
Tch [°C]
Gate Threshold Voltage vs. Tch
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=10mA
min.
typ.
max.
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10p
100p
1n
10n
Typical capacitances
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz
C
VDS [V]
Ciss
Coss
Crss
0.0
0.2
0.4
0.6
VSD [V]
0.8
1.0
1.2
1.4
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode
IF=f(VSD):80μs pulse test,Tch=25°C
10V
5V
VGS=0V
I
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2901-01S N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
2SK2902 N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
2SK2902-01MR N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
2SK2903 N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
2SK2903-01MR N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
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參數(shù)描述
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2SK2904-01SC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK2906-01SC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
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