參數(shù)資料
型號： 2SK2315TYTL-E
元件分類： JFETs
英文描述： 2 A, 60 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： LEAD FREE, SC-62, UPAK-3
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 166K
代理商： 2SK2315TYTL-E
Data Sheet D14856EJ2V0DS
3
2SA1129
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK2315TYTR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A UPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2315TYTR-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2316 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications
2SK2317 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Very High-Speed Switching Applications
2SK2318 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Very High-Speed Switching Applications
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