參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2129
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Silicon N-Channel Power F-MOS FET
中文描述： 3 A, 800 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220E
封裝： TO-220E, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 43K
代理商： 2SK2129
2
Power F-MOS FETs
2SK2129
Area of safe operation (ASO)
P
D
Ta
EAS
T
j
I
D
V
DS
I
D
V
GS
V
th
T
C
V
DS
V
GS
R
DS(on)
I
D
| Y
fs
|
I
D
1
Drain to source voltage V
DS
(V)
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
Non repetitive pulse
T
C
=25C
t=100
μ
s
10ms
1ms
DC
I
DP
I
D
D
D
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
10
20
30
40
50
60
(1) T
=Ta
(2) Without heat sink
(P
D
=2W)
(1)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
A
D
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
30
V
DD
=50V
I
D
=3A
Junction temperature T
j
(C)
A
0
Drain to source voltage V
DS
(V)
10
20
30
40
50
60
0
1
2
3
4
V
GS
=15V
10V
6V
5.5V
50W
4.5V
5V
4V
T
C
=25C
D
D
0
Gate to source voltage V
GS
(V)
12
10
8
2
6
4
0
1
2
3
4
5
T
C
=0C
150C
100C
25C
V
DS
=25V
D
D
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
=25V
I
D
=1mA
Case temperature T
C
(C)
G
t
0
Gate to source voltage V
GS
(V)
5
10
15
20
25
30
0
20
40
60
80
10
30
50
70
I
D
=6A
1.5A
3A
0
T
C
=25C
D
D
0
1
Drain current I
D
(A)
2
3
4
5
0
12
10
8
6
4
2
V
GS
=10V
T
C
=150C
100C
25C
0C
D
D
)
0
1
Drain current I
D
(A)
2
3
4
5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
=25V
T
C
=25C
F
f
|
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PDF描述
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