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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD814A |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type(For high breakdown voltage low-frequency and low-noise amplification) |
| 中文描述： | 50 mA, 185 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2SD814A |
2
Transistor
2SD814, 2SD814A
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
240
200
160
120
80
40
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
120
100
80
60
40
20
Ta=25C
1.8mA
1.0mA
0.8mA
0.6mA
0.4mA
0.2mA
I
B
=2.0mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
120
100
80
60
40
20
V
CE
=10V
Ta=75C
–25C
25C
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(mA)
3
30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=10
25C
–25C
Ta=75C
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(mA)
3
30
0
600
500
400
300
200
100
V
CE
=10V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
–1
–3
–10
–30
–100
0
200
160
120
80
40
V
=10V
Ta=25C
Emitter current I
E
(mA)
T
T
1
3
10
30
100
0
5
4
3
2
1
I
=0
f=1MHz
Ta=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD0874 | Silicon NPN epitaxial planar type |
| 2SD0874A | Silicon NPN epitaxial planar type |
| 2SD0875 | For Low-Frequency Power Amplification |
| 2SD0958 | For Low-Frequency And Low-Noise Amplification |
| 2SD0965 | Silicon NPN epitaxial planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD814AQ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 185V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-346 |
| 2SD814AR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 185V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-346 |
| 2SD814AS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 185V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-346 |
| 2SD814Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-346 |
| 2SD814R | 制造商:PANASONIC 功能描述:* |
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