參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2528
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planar type(For power amplification with high forward current transfer ratio)
中文描述： 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-220D-A1, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 43K
代理商： 2SD2528
2
Power Transistors
2SD2528
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
t
on
, t
stg
, t
f
— I
C
Area of safe operation (ASO)
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
50
40
30
20
10
(1) T
=Ta
(2) With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3) With a 50
×
50
×
2mm
Al heat sink
(4) Without heat sink
(1)
(2)
(3)
(4)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
8
6
2
5
7
4
1
3
T
C
=25C
I
B
=10mA
9mA
87mA
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
1mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
–1
1
10
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
Collector current I
C
(A)
C
C
10
–1
1
10
10
–2
10
–1
1
10
10
2
I
C
/I
B
=50
Collector current I
C
(A)
B
B
10
–2
10
–1
1
10
10
10
4
10
3
10
2
Collector current I
C
(A)
F
F
3
0.1
0.01
Collector current I
C
(A)
0.3
0.03
1
3
100
10
30
300
V
=12V
f=10MHz
T
C
=25C
T
T
0
8
2
6
4
7
1
Collector current I
C
(A)
5
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Pulsed t
=1ms
Duty cycle=1%
I
C
/I
B
=50 (I
B1
=–I
B2
)
V
CC
=50V
T
C
=25C
t
stg
t
f
t
on
S
o
,
s
,
f
μ
s
1
3
10
30
100
10
30
1
0.1
0.3
3
Non repetitive pulse
T
C
=25C
I
CP
I
C
10ms
1s
t=1ms
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
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PDF描述
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