參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2504
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planar type
中文描述： 5000 mA, 10 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-92-B1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： 2SD2504
Transistors
2SD2504
Silicon NPN epitaxial planar type
1
Publication date: February 2003
SJC00267DED
For low-frequency power amplification
■
Features
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
Large collector current I
C
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
15
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
10
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
10
V
Collector current
5
A
Peak collector current
*
I
CP
9
A
Collector power dissipation
P
C
T
j
750
mW
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
=
1 mA, I
E
=
0
I
C
=
10
μ
A, I
B
=
0
V
CB
=
10 V, I
E
=
0
V
CE
=
5 V, I
B
=
0
V
EB
=
5 V, I
E
=
0
V
CE
= 2 V, I
C
= 0.5 A
10
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
CBO
10
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
0.1
μ
A
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
I
CEO
1.0
Emitter-base cutoff current (Collector open)
I
EBO
h
FE1
0.1
Forward current transfer ratio
*
300
800
h
FE2
V
CE
= 2 V, I
C
= 2 A
I
C
=
3 A, I
B
=
0.1 A
V
CB
=
6 V, I
E
=
50 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
20 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
195
Collector-emitter saturation voltage
*
V
CE(sat)
f
T
C
ob
0.28
0.50
V
Transition frequency
170
MHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
45
65
pF
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Unit: mm
4.0
±
0.2
5.0
±
0.2
0.7
±
0.1
0.45
+0.15
2.5
+0.6
0.45
+0.15
2.5
1
2 3
+0.6
5
±
0
1
±
0
2
±
0
0
±
0
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
TO-92-B1 Package
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*: Pulse measurement
Note)*: t
=
380
μ
s
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SD2525(TP,Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 60V 3A TPL
2SD2528 功能描述:TRANS NPN LF 60VCEO 5A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2536(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans Darlington NPN 115V 2A 3-Pin LSTM
2SD2537T100 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
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