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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2123(L) |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 35K |
| 代理商： | 2SD2123(L) |
2SD2122(L)/(S), 2SD2123(L)/(S)
4
0.01
0.03
0.1
0.3
1.0
Collector current IC (A)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE
(sat)
(V)
0.03
0.1
0.3
1.0
3.0
Saturation Voltage vs. Collector Current
Ta = 25
°C
lC = 10 lB
0.1
0.3
1.0
3.0
10
Collector current IC (A)
Base
to
emitter
saturation
voltage
V
BE
(sat)
(V)
0.03
0.1
0.3
1.0
3.0
Saturation Voltage vs. Collector Current
Ta = 25
°C
lC = 10 lB
Base to emitter voltage VBE (V)
Collector
current
I
C
(A)
0
Typical Transfer Characteristics
0.4
0.8
1.2
2.0
1.6
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
VCE = 5 V
Ta = 25
°C
10
30
100
300
1,000
Collector current IC (A)
Gain
bandwidth
product
f
T
(MHz)
0.01
0.03
0.1
0.3
1.0
Gain Bandwidth Product
vs. Collector Current
VCE = 5 V
Ta = 25
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2122(L)C | POWER TRANSISTOR |
| 2SD2123(L) | POWER TRANSISTOR |
| 2SD2123(S)C | POWER TRANSISTOR |
| 2SD2122(L)B | POWER TRANSISTOR |
| 2SD2122(S)B | POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2123S | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD2124 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD2124(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-251AA |
| 2SD2124(L)-(1) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2SD2124(L)/(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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