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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1662 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS) |
| 中文描述： | npn型三重擴散型（高電流開關應用） |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 164K |
| 代理商： | 2SD1662 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1666 | LOW FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS |
| 2SD1672 | NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR |
| 2SD1685 | High-Current Switching Applications |
| 2SD1705 | Silicon NPN epitaxial planar type |
| 2SD1706 | SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE POWER SWITCHING |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1662(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape |
| 2SD1662-1(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 100V 15A 1000 TO3P Bulk 制造商:Toshiba 功能描述:0 |
| 2SD1664 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1664FT100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN DRIVER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1664T100P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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