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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD0662 |
| 廠(chǎng)商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | For High Breakdown Voltage General Amplification |
| 中文描述： | 70 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | M-A1, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | 2SD0662 |
2SD0662, 2SD0662B
2
SJC00195BED
I
C
I
B
V
CE(sat)
I
C
I
B
V
BE
P
C
T
a
I
C
V
CE
I
C
V
BE
h
FE
I
C
f
T
I
E
I
CBO
T
a
0
160
40
120
80
140
20
Ambient temperature T
a
(
°
C)
100
60
0
800
600
200
500
700
400
100
300
C
C
0
10
8
2
6
4
0
120
100
80
60
40
20
T
a
=
25
°
C
I
B
=
2.0 mA
0.2 mA
0.4 mA
0.6 mA
0.81.11.1.61.8 mA
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
0
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
120
100
80
60
40
20
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
Base-emitter voltage V
BE
(V)
C
C
0
2.0
1.6
0.4
Base current I
B
(mA)
1.2
0.8
0
120
100
80
60
40
20
V
CE
=
10 V
T
a
=
25
°
C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
I
C
/ I
B
=
10
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
1.0
0.8
0.2
0.6
0.4
0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
CE
=
10 V
T
a
=
25
°
C
Base-emitter voltage V
BE
(V)
B
B
0.01
0.1
1
10
0
360
300
240
180
120
60
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
1
10
100
0
160
120
40
100
140
80
20
60
V
CB
=
10 V
T
a
=
25
°
C
T
T
Emitter current I
E
(mA)
0
200
160
40
120
80
1
10
10
2
10
3
10
4
V
CB
=
250 V
Ambient temperature T
a
(
°
C)
I
C
a
)
I
C
a
=
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD0662B | For High Breakdown Voltage General Amplification |
| 2SD0814A | For High Breakdown Voltage Low-Frequency And Low-Noise |
| 2SD0814 | 0.01UF +/-10% 80V AXI |
| 2SD814 | Silicon NPN epitaxial planer type(For high breakdown voltage low-frequency and low-noise amplification) |
| 2SD814A | Silicon NPN epitaxial planer type(For high breakdown voltage low-frequency and low-noise amplification) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SD0662/2SD0662B(2SD662/2SD662B) | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:2SD0662. 2SD0662B (2SD662. 2SD662B) - NPN Transistor |
| 2SD0662B | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:For High Breakdown Voltage General Amplification |
| 2SD0662B(2SD662B) | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:小信號(hào)デバイス － 小信號(hào)トランジスタ － 汎用低周波増幅 |
| 2SD0662BP | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SC-71 |
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