參數(shù)資料
型號: 2SC6077
廠商: Toshiba Corporation
英文描述: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
中文描述: npn型硅外延型(厘進(jìn)程)
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大?。?/td> 276K
代理商: 2SC6077
2SC6077
2006-10-20
3
0.001
0.01
0.1
1
10
10
1
0.1
Ta
=
100°C
55
25
1
10
0.1
0.01
Ta
=
100°C
55
25
0.001
0.01
0.1
1
10
1000
1
0.001
10
100
0.01
0.1
1
10
Ta
=
100°C
55
25
0
0.4
1.2
1.6
0
1
2
3
Ta
=
100
25
55
0.8
IB
=
2 mA
100
30
5
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
10
300
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
C
– V
CE
C
C
Base-emitter voltage V
BE
(V)
I
C
– V
BE
C
C
Collector current I
C
(A)
h
FE
– I
C
D
F
Collector current I
C
(A)
V
CE (sat)
– I
C
C
V
C
(
(
Collector current I
C
(A)
V
BE
(sat)
– I
C
B
V
B
(
Common emitter
VCE
=
2 V
Single nonrepetitive pulse
Common emitter
IC/IB
=
10
Single nonrepetitive pulse
Common emitter
Ta
=
25°C
Single nonrepetitive pulse
Common emitter
VCE
=
2 V
Single nonrepetitive pulse
Common emitter
IC/IB
=
10
Single nonrepetitive pulse
2
50
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PDF描述
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2SC6079 Silicon NPN Epitaxial Type
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