參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC6042
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused Type
中文描述： 硅npn型三重?cái)U(kuò)散型
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 189K
代理商： 2SC6042
2SC6042
2006-11-13
3
B
e
V
B
Collector
emitter voltage V
CE
(V)
I
C
– V
CE
C
c
C
Collector current I
C
(A)
h
FE
– I
C
D
F
Collector current I
C
(A)
V
CE
(sat)
– I
C
C
e
V
C
Collector current I
C
(A)
V
BE
(sat)
– I
C
Base
emitter voltage V
BE
(V)
I
C
– V
BE
C
C
0
0
1.6
1.2
0.4
0.4
0.8
1.6
2.0
2.4
0.8
2.0
0.001
10
Ta = 100°C
55
25
0.1
0.01
1
10
1
0.01
0.4
2.0
0
1.6
0.8
1.2
1.6
0.8
Common emitter
VCE = 5 V
Pulse test
Ta = 100°C
55
25
0
1000
1
0.001
Ta = 100°C
55
25
0.01
1
10
100
10
10
0.001
Ta =
55°C
25
100
0.1
0.01
1
10
1
0.4
1.2
Common emitter
IC/IB = 8
Pulse test
Common emitter
β
= 8
Pulse test
Common emitter
VCE = 5 V
Pulse test
40
60
100
80
150
IB = 10 mA
20
200
Common emitter
Ta=25
℃
Pulse test
0
0
1.6
1.2
0.4
0.8
2.0
2
4
6
10
12
I
C
– V
CE
C
C
Collector
emitter voltage V
CE
(V)
Common emitter
Ta=25
℃
Pulse test
200
150
100
80
60
40
20
IB = 10 mA
1.2
8
0.1
0.1
0.1
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PDF描述
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2SC606 NPN SILICON TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SC6043 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC6043AE 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述:
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