參數(shù)資料
型號： 2SC6042
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused Type
中文描述： 硅npn型三重擴散型
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 189K
代理商： 2SC6042
2SC6042
2006-11-13
2
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
= 800 V, I
E
= 0
―
―
100
μ
A
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
= 8 V, I
C
= 0
―
―
100
μ
A
Collector-base breakdown voltage
V
(BR) CBO
I
C
= 1 mA, I
B
= 0
800
―
―
V
Collector-emitter breakdown voltage
V
(BR) CEO
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
375
―
―
V
h
FE (1)
V
CE
= 5 V, I
C
= 1 mA
80
―
―
h
FE (2)
V
CE
= 5 V, I
C
= 0.1 A
100
―
200
DC current gain
h
FE (3)
V
CE
= 5 V, I
C
= 0.2 A
80
―
―
Collector emitter saturation voltage
V
CE (sat)
I
C
= 0.8 A, I
B
= 0.1 A
―
―
1.0
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE (sat)
I
C
= 0.8 A, I
B
= 0.1 A
―
―
1.3
V
Rise time
t
r
―
―
0.5
Storage time
t
stg
―
―
4.5
Switching time
Fall time
t
f
I
B
I
B1
= 20 mA,
I
B2
= 50 mA
DUTY CYCLE
≤
1%
―
―
0.2
μ
s
Marking
20
μ
s
V
CC
≈
200 V
INPUT
OUT-
PUT
6
I
B21
I
B1
I
B2
I
C
C6042
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
Part No. (or abbreviation code)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SC606 NPN SILICON TRANSISTOR
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2SC6075 Silicon NPN Epitaxial Type
2SC6076 Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
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參數(shù)描述
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2SC6043 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC6043AE 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述:
2SC6043-AE 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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