參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC6023
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to C Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications
中文描述： 瑞展超高頻硅晶體管的C波段低噪聲放大器和OSC應(yīng)用
文件頁數(shù)： 2/15頁
文件大小： 58K
代理商： 2SC6023
2SC6023
No.8143-2/15
Package Dimensions
unit : mm
2161A
1.15
2.0
0.6
1
2
3
4
2
1
0
0
0
0
0
0.3
1.3
0.15
0.05
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Base
SANYO : MCP4
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
hFE -- IC
C
IT08188
40
35
30
25
20
15
10
5
00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Cre -- VCB
C
IT08189
Collector Current, IC -- mA
D
IT08392
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
R
IT08191
0
2
3
4
1
0
5
10
15
20
25
35
30
IB=0
250
μ
A
225
μ
A
200
μ
A
175
μ
A
150
μ
A
125
μ
A
100
μ
A
75
μ
A
50
μ
A
25
μ
A
VE
1
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
0.1
3
5
2
f=1MHz
5
2
7
5
3
2
3
1000
100
10
7
0.1
3
2
5
1.0
7
3
2
5
7
3
2
5
7
10
VCE=3V
1V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC6026 Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) General-Purpose Amplifier Applications
2SC6033 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC6034 Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC6036 Silicon NPN epitaxial planar type
2SC6040 High-Speed and High-Voltage Switching Applications Switching Regulator Applications DC-DC Converter Applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC6023-TR-E 功能描述:TRANS NPN 3.5V 35MA MCP4 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC6024 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:UHF to C Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications
2SC6024-TL-E 功能描述:TRANS NPN 3.5V 35MA 3SSFP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC6025 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to C Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications
2SC6026 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) General-Purpose Amplifier Applications
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*