參數(shù)資料
型號： 2SC5976
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
中文描述： 晶體硅npn型外延式
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 181K
代理商： 2SC5976
2SC5976
2004-07-01
2
Electrical Characteristics
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
0.1
μ
A
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
0.1
μ
A
Collector-emitter breakdown voltage
V
(BR) CEO
I
C
=
10 mA, I
B
=
0
30
V
h
FE
(1)
V
CE
=
2 V, I
C
=
0.3 A
250
400
DC current gain
h
FE
(2)
V
CE
=
2 V, I
C
=
1.0 A
120
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
I
C
= 1.0 A, I
B
=33mA
0.14
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE (sat)
I
C
= 1.0 A, I
B
=33mA
1.10
V
Collector output capacitance
Cob
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f=1MHz
18
pF
Rise time
t
r
40
Storage time
t
stg
320
Switching time
Fall time
t
f
See Figure 1.
V
CC
≈
12V, R
L
=
12
I
B1
=
I
B2
=
33 mA
25
ns
Figure 1 Switching Time Test Circuit & Timing Chart
MARKING
W W
Part No. (or abbreviation code)
Lot code (month)
Lot code (year)
Dot: even year
No dot: odd year
I
B2
I
B1
20
μ
s
Output
Input
I
B2
I
B1
R
L
V
CC
Duty cycle
<
1%
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PDF描述
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